due parole: innovazione inarrestabile. Tramite materiali completamente nuovi, tra cui circuiti basati su afnio, la nuova tecnologia di produzione del silicio di Intel a 45 nanometri (un nanometro è la miliardesima parte di un metro) ad alta costante k (Hi-k) con gate metallici consente di aumentare sensibilmente l'efficienza energetica e le prestazioni dei processori per un'esperienza senza precedenti con il computer.
Con questa innovativa tecnologia dei transistor, Intel introduce vantaggi concreti in tutti i chip a 45 nm Hi-k basati su afnio. Questi nuovi processori rivoluzionari ottimizzano l'esperienza con i videogame, i contenutimultimediali e il multitasking, al lavoro, in casa e nel tempo libero.
La tecnologia a 45 nm rappresenterà la base per offrire PC con prestazioni per watt più elevate destinati a migliorare l'esperienza degli utenti”.
La tecnologia di processo a 45 nm di Intel consentirà di realizzare chip con una dispersione energetica più di cinque volte inferiore rispetto a quelli realizzati oggi. In questo modo sarà possibile migliorare la durata della batteria dei dispositivi mobili e avere maggiori opportunità per sviluppare piattaforme più piccole e potenti.
Il chip di SRAM a 45 nm contiene più di 1 miliardo di transistor. Anche se non è stato concepito come prodotto Intel, questo chip dimostra le prestazioni della tecnologia, la resa del processo e l'affidabilità del chip prima dell'avvio della produzione di processori e di altri chip di logica con il processo a 45 nm. Si tratta di un primo passo importante nel passaggio verso la produzione in grandi quantità dei dispositivi più complessi del mondo.
Oltre alle capacità produttive del primo impianto D1D in Oregon, dove sono in corso le prime attività di sviluppo a 45 nm, Intel ha annunciato due Fab in costruzione per la produzione di chip in grandi quantità utilizzando la tecnologia di processo a 45 nm: Fab 32 in Arizona e Fab 28 in Israele.
